IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Número de pieza：
IRFH5010TRPBF
Modelo alternativo：
IRFH5010TR2PBF , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , IRLH5030TRPBF , SP4065-08ATG , TLV6703QDSERQ1 , IPD220N06L3GATMA1 , TDA08H0SB1 , ATL431LIAQDQNR , IRLML9301TRPBF , SQ1464EEH-T1_GE3 , ZXMP6A17E6QTA , FDMS86150 , IRFH5015TRPBF , NSR20F30NXT5G , IRLML0060TRPBF , LT4356HDE-1#PBF , STL100N10F7
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
RoHS：
YES
IRFH5010TRPBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-PQFN (5x6)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 150µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4340 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 50A, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
13A (Ta), 100A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
3.6W (Ta), 250W (Tc)
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