IRF6665

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IRF6665

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Número de pieza：

IRF6665

Modelo alternativo：

IRF6665TR1

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

RoHS：

NO

：

IRF6665 IRF6665

IRF6665 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Temperatura de funcionamiento：

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

13 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

530 pF @ 25 V

Disipación de energía (máx.)：

2.2W (Ta), 42W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

4.2A (Ta), 19A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

62mOhm @ 5A, 10V

Paquete de dispositivo del proveedor：

DIRECTFET™ SH

Paquete / Estuche：

DirectFET™ Isometric SH

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