IRF8788PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Número de pieza:
IRF8788PBF
Modelo alternativo:
IRF8788TRPBF  ,  IRF8788TRPBF  ,  NCP1034DR2G  ,  24AA08-I/SN
Fabricante:
IR (Infineon Technologies)
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
RoHS:
YES
IRF8788PBF Especificaciones
Tipo de montaje:
Surface Mount
Paquete / Estuche:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor:
8-SO
Tipo FET:
N-Channel
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
4.5V, 10V
Vgs (máx.):
±20V
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
30 V
Disipación de energía (máx.):
2.5W (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
2.35V @ 100µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
24A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
2.8mOhm @ 24A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
66 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
5720 pF @ 15 V
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
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