RSH065N06TB1

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RSH065N06TB1

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

Número de pieza：

RSH065N06TB1

Modelo alternativo：

SI4154DY-T1-GE3 , RS1G260MNTB , RS3L045GNGZETB , RSH065N06GZETB , RS1L145GNTB , SI4062DY-T1-GE3 , RS1G120MNTB , SI4122DY-T1-GE3 , IRF7842TRPBF

Fabricante：

ROHM Semiconductor

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP

RoHS：

YES

：

RSH065N06TB1

RSH065N06TB1 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Paquete / Estuche：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor：

8-SOP

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

60 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

2.5V @ 1mA

Disipación de energía (máx.)：

2W (Ta)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

16 nC @ 5 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4V, 10V

Vgs (máx.)：

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

6.5A (Ta)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

900 pF @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

37mOhm @ 6.5A, 10V

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