CMF20120D
SICFET N-CH 1200V 42A TO247-3
Número de pieza：
CMF20120D
Modelo alternativo：
MSC080SMA120B , IMW65R030M1HXKSA1 , SCT30N120 , NDS352AP
Fabricante：
Wolfspeed
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
SICFET N-CH 1200V 42A TO247-3
RoHS：
NO
CMF20120D Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 1mA
Tecnología：
SiCFET (Silicon Carbide)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
42A (Tc)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 135°C (TJ)
Disipación de energía (máx.)：
215W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
110mOhm @ 20A, 20V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
90.8 nC @ 20 V
Vgs (máx.)：
+25V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1915 pF @ 800 V
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