SI6473DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Número de pieza:
SI6473DQ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
RoHS:
YES
SI6473DQ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje:
Surface Mount
Paquete / Estuche:
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor:
8-TSSOP
Tecnología:
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET:
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
20 V
Vgs (máx.):
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado):
1.8V, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.:
450mV @ 250µA (Min)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
6.2A (Ta)
Disipación de energía (máx.):
1.08W (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs:
70 nC @ 5 V
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
Cantidad
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