SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Número de pieza：
SI9407BDY-T1-E3
Modelo alternativo：
DMP6110SSS-13 , SI9407BDY-T1-GE3 , 2059570571 , SQ9407EY-T1_BE3 , 3221-10-0300-00-TR , DMP6110SSSQ-13 , SQ9407EY-T1_GE3 , MEM2075-00-140-01-A , 2N7002 , 0026013116 , SBRD10200 , JXR0-0011NL , DLW5ATH501TQ2L , AO4421 , 0430450601
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
RoHS：
YES
SI9407BDY-T1-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4.7A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
22 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
5W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
600 pF @ 30 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 3.2A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：21705
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2500
0.61
1525
5000
0.58
2900
12500
0.55
6875
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