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RJK1054DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Número de pieza：

RJK1054DPB-00#J5

Modelo alternativo：

SIS892DN-T1-GE3 , SIR882DP-T1-GE3 , IPD70N10S312ATMA1

Fabricante：

Intersil (Renesas Electronics Corporation)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

RoHS：

YES

：

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RJK1054DPB-00#J5 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Paquete / Estuche：

SC-100, SOT-669

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

20A (Ta)

Paquete de dispositivo del proveedor：

LFPAK

Disipación de energía (máx.)：

55W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

27 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2000 pF @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

22mOhm @ 10A, 10V

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