3LN01C-TB-H
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
Número de pieza：
3LN01C-TB-H
Modelo alternativo：
XP231N0201TR-G , 3LN01CPA-TB-E
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
RoHS：
NO
3LN01C-TB-H Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3.7Ohm @ 80mA, 4V
Disipación de energía (máx.)：
250mW (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
150mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
1.58 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
7 pF @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SC-59-3/CP3
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