5LN01C-TB-E
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
Número de pieza：
5LN01C-TB-E
Modelo alternativo：
FT5HNBPK16.0-T1 , ADUM5401WCRWZ-1RL , SM6T39CA , 2N7002KW , 60312102114405 , DAC161S997RGHR , PZT3904T1G , BAS3010A03WE6327HTSA1 , DDC114IRTCT , BAT41KFILM
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
RoHS：
NO
5LN01C-TB-E Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
50 V
Disipación de energía (máx.)：
250mW (Ta)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
100mA (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
7.8Ohm @ 50mA, 4V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SC-59-3/CP3
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
1.57 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
6.6 pF @ 10 V
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