ATP216-TL-H
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
Número de pieza：
ATP216-TL-H
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
RoHS：
NO
ATP216-TL-H Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
35A (Ta)
Vgs (máx.)：
±10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
50 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Disipación de energía (máx.)：
40W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
30 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2700 pF @ 20 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
ATPAK
Paquete / Estuche：
ATPAK (2 Leads+Tab)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 18A, 4.5V
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