ECH8309-TL-H
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
Número de pieza：
ECH8309-TL-H
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
RoHS：
YES
ECH8309-TL-H Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Tipo FET：
P-Channel
Disipación de energía (máx.)：
1.5W (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
9.5A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
18 nC @ 4.5 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-ECH
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Leads
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1780 pF @ 6 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 4.5A, 4.5V
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Número de envases estándar：4346
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