ECH8310-TL-H
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
Número de pieza：
ECH8310-TL-H
Modelo alternativo：
NCP5623DTBR2G
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
RoHS：
YES
ECH8310-TL-H Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Tipo FET：
P-Channel
Disipación de energía (máx.)：
1.5W (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
9A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
28 nC @ 10 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4V, 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-ECH
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1400 pF @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
17mOhm @ 4.5A, 10V
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Leads
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4600
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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0.4
1200
6000
0.37
2220
9000
0.34
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30000
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