NTP5864NG
MOSFET N-CH 60V 63A TO220AB
NTP5864NG Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
31 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220
Disipación de energía (máx.)：
107W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1680 pF @ 25 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
63A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
12.4mOhm @ 20A, 10V
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