NVD5890NT4G

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NVD5890NT4G

MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK

Número de pieza：

NVD5890NT4G

Fabricante：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK

RoHS：

YES

：

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NVD5890NT4G Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Calificación：

Automotive

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

40 V

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Calificación：

AEC-Q101

Paquete / Estuche：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor：

DPAK

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

24A (Ta), 123A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

3.7mOhm @ 50A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

4760 pF @ 25 V

Disipación de energía (máx.)：

4W (Ta), 107W (Tc)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

3.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

100 nC @ 10 V

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