NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Número de pieza：
NVTFS5116PLTWG
Modelo alternativo：
NVTFS5116PLTAG , DMP6023LFGQ-7 , NVTFS5116PLWFTWG , SI2300DS-T1-GE3 , SQJB02ELP-T1_GE3 , SI7489DP-T1-GE3 , NCV890104MWR2G , NTTFS5116PLTWG , NCV47711PDAJR2G , NCV7520MWTXG , MAX6861UK225+T , AON7296 , NVTFS5116PLWFTAG , FDMC86139P , INA132UA/2K5 , ADXL345BCCZ
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
RoHS：
YES
NVTFS5116PLTWG Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Calificación：
AEC-Q101
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche：
8-PowerWDFN
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1258 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
52mOhm @ 7A, 10V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：5756
Cantidad
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