SSM3K36MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
Número de pieza：
SSM3K36MFV,L3F
Modelo alternativo：
SSM3J56MFV , L3F , 2199230-4 , 5988A90107F , 01550900M , TPS7A0328DBVR , 5988A10107F , BNX022-01L , SSM3K35AMFV , L3F , ACM1211-701-2PL-TL01 , ECS-.327-7-16-C-TR , SFV8R-3STBE1HLF , SSM6N35AFE , LF , BHX1-1025-SM , RB520S30T1G , AT34C02D-MAHM-E
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
RoHS：
YES
SSM3K36MFV,L3F Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Paquete / Estuche：
SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor：
VESM
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
500mA (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1mA
Disipación de energía (máx.)：
150mW (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 5V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
630mOhm @ 200mA, 5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
1.23 nC @ 4 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
46 pF @ 10 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：449310
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
8000
0.08
640
16000
0.07
1120
24000
0.07
1680
56000
0.06
3360
200000
0.06
12000
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