STL18NM60N

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STL18NM60N

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

Número de pieza：

STL18NM60N

Fabricante：

STMicroelectronics

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

RoHS：

YES

：

STL18NM60N STL18NM60N

STL18NM60N Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Paquete / Estuche：

8-PowerVDFN

Vgs (máx.)：

±30V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

600 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

35 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1000 pF @ 50 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

PowerFlat™ (8x8) HV

Disipación de energía (máx.)：

3W (Ta), 110W (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

310mOhm @ 6A, 10V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

2.1A (Ta), 12A (Tc)

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