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RJK0353DPA-01#J0B

MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK

Número de pieza：

RJK0353DPA-01#J0B

Fabricante：

Intersil (Renesas Electronics Corporation)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK

RoHS：

YES

：

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RJK0353DPA-01#J0B Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

35A (Ta)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Vgs (máx.)：

±20V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

30 V

Paquete / Estuche：

8-PowerWDFN

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

2.5V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

14 nC @ 4.5 V

Disipación de energía (máx.)：

40W (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2180 pF @ 10 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

8-WPAK

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

5.2mOhm @ 17.5A, 10V

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