NP100P04PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
Número de pieza：
NP100P04PDG-E1-AY
Modelo alternativo：
NP16N06QLK-E1-AY , SUM110P08-11L-E3 , 1-796692-2 , NP100P04PLG-E1-AY , 220ADC04 , TJ200F04M3L , LXHQ , 54202-G0810LF , 796692-2 , 5002 , CMD17-21VRD/TR8 , 0393900102 , CMD17-21VGD/TR8 , CMD17-21VYD/TR8 , NP100P06PDG-E1-AY
Fabricante：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
RoHS：
YES
NP100P04PDG-E1-AY Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
100A (Tc)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 1mA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3.5mOhm @ 50A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
320 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
1.8W (Ta), 200W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
15100 pF @ 10 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：3153
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
3.45
2760
1600
2.95
4720
2400
2.78
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