NP20P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Número de pieza：
NP20P06SLG-E1-AY
Modelo alternativo：
AOD409 , NP20P04SLG-E1-AY , DMPH6050SK3-13 , NP50P06SDG-E1-AY , TJ15S06M3L(T6L1 , NQ , SQM120P04-04L_GE3 , 7-967288-1 , TSM480P06CP ROG , MCU30P06Y-TP , RD3L140SPTL1 , SQD19P06-60L_GE3 , TJ15S06M3L , LXHQ , DMPH6023SK3-13 , DMP6180SK3-13 , IRFR5305TRLPBF
Fabricante：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
RoHS：
YES
NP20P06SLG-E1-AY Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
20A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1650 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
1.2W (Ta), 38W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-252 (MP-3ZK)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
48mOhm @ 10A, 10V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：18798
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
2500
0.75
1875
5000
0.72
3600
12500
0.69
8625
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