NP23N06YDG-E1-AY

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NP23N06YDG-E1-AY

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

Número de pieza：

NP23N06YDG-E1-AY

Modelo alternativo：

RJK0658DPA-00#J5A

Fabricante：

Intersil (Renesas Electronics Corporation)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON

RoHS：

YES

：

NP23N06YDG-E1-AY NP23N06YDG-E1-AY

NP23N06YDG-E1-AY Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Paquete / Estuche：

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

60 V

Vgs (máx.)：

±20V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

2.5V @ 250µA

Temperatura de funcionamiento：

175°C (TJ)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

23A (Tc)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

5V, 10V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

41 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1800 pF @ 25 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

8-HSON

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

27mOhm @ 11.5A, 10V

Disipación de energía (máx.)：

1W (Ta), 60W (Tc)

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