NP36P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Número de pieza：
NP36P06KDG-E1-AY
Modelo alternativo：
FQB47P06TM-AM002 , FQB27P06TM , 0439151206 , IRF5210STRLPBF , IRF4905STRLPBF , NP36P04KDG-E1-AY , BZT52C2V0-7-F , NTB25P06T4G , NP36P06SLG-E1-AY , SMAZ33-13-F , 2SA1163-BL , LF , 2SC2713-GR , LF , IXTA96P085T , ICL7665AESA+
Fabricante：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
RoHS：
YES
NP36P06KDG-E1-AY Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 1mA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
54 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
36A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
29.5mOhm @ 18A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3100 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
1.8W (Ta), 56W (Tc)
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4342
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
1.33
1064
1600
1.13
1808
2400
1.08
2592
5600
1.03
5768
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