NP83P06PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 83A TO263
Número de pieza：
NP83P06PDG-E1-AY
Modelo alternativo：
GSFT06130 , ATP304-TL-H , RD3L07BATTL1 , TJ60S06M3L , LXHQ , SUM110P06-07L-E3 , NP100P06PDG-E1-AY , IPB110P06LMATMA1 , NP50P06KDG-E1-AY , TJ60S06M3L(T6L1 , NQ , NP100P06PLG-E1-AY , RS1L151ATTB1 , MCAC80P06Y-TP , G080P06M , SQD50P06-15L_GE3 , LTM8051IY
Fabricante：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 83A TO263
RoHS：
YES
NP83P06PDG-E1-AY Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Tipo FET：
P-Channel
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 1mA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
83A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
190 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
10100 pF @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.8mOhm @ 41.5A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：2775
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
2.39
1912
1600
2.04
3264
2400
1.93
4632
5600
1.85
10360
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