STP10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Número de pieza：
STP10N65K3
Fabricante：
STMicroelectronics
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
RoHS：
YES
STP10N65K3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Vgs (máx.)：
±30V
Disipación de energía (máx.)：
150W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
650 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1180 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1Ohm @ 3.6A, 10V
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