STS19N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
Número de pieza：
STS19N3LLH6
Fabricante：
STMicroelectronics
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
RoHS：
YES
STS19N3LLH6 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
19A (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1690 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
2.7W (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
5.6mOhm @ 9.5A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
17 nC @ 15 V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1600
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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1475
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0.56
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