STB6N62K3
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
STB6N62K3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Vgs (máx.)：
±30V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 50µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.5A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
90W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
620 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
875 pF @ 50 V
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