SIHG22N60E-E3

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SIHG22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Número de pieza：

SIHG22N60E-E3

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

RoHS：

YES

：

SIHG22N60E-E3 SIHG22N60E-E3 SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 250µA

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

600 V

Paquete / Estuche：

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-247AC

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

21A (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

86 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

227W (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

180mOhm @ 11A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1920 pF @ 100 V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1627

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

4.71

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25

3.73

93.25

100

3.2

320

500

2.85

1425

1000

2.43

2430

2000

2.29

4580

5000

2.2

11000

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