TK11A55D(STA4,Q,M)

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TK11A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS

Número de pieza：

TK11A55D(STA4,Q,M)

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK11A55D(STA4,Q,M) TK11A55D(STA4,Q,M)

TK11A55D(STA4,Q,M) Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 1mA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220SIS

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

25 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

45W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

11A (Ta)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1350 pF @ 25 V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

550 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

630mOhm @ 5.5A, 10V

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Número de envases estándar：1600

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50

2.2

110

100

1.82

182

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765

1000

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2000

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2460

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