TK12A50D(STA4,Q,M)

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TK12A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS

Número de pieza：

TK12A50D(STA4,Q,M)

Modelo alternativo：

FCX605TA , G881A04102TEU

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK12A50D(STA4,Q,M) TK12A50D(STA4,Q,M)

TK12A50D(STA4,Q,M) Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 1mA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220SIS

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

520mOhm @ 6A, 10V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

25 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

45W (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1350 pF @ 25 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

12A (Ta)

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1634

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

2.61

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50

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105

100

1.73

173

500

1.46

730

1000

1.24

1240

2000

1.18

2360

5000

1.13

5650

10000

1.1

11000

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