TK18A50D(STA4,Q,M)

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TK18A50D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS

Número de pieza：

TK18A50D(STA4,Q,M)

Modelo alternativo：

TK15A50D(STA4 , Q , M) , TK19A50W , S5X

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK18A50D(STA4,Q,M) TK18A50D(STA4,Q,M)

TK18A50D(STA4,Q,M) Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

45 nC @ 10 V

Vgs (máx.)：

±30V

Disipación de energía (máx.)：

50W (Tc)

Paquete / Estuche：

TO-220-3 Full Pack

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 1mA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220SIS

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

18A (Ta)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

2600 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

270mOhm @ 9A, 10V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1614

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

3.72

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50

2.95

147.5

100

2.53

253

500

2.24

1120

1000

1.93

1930

2000

1.82

3640

5000

1.74

8700

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