TK2A65D(STA4,Q,M)

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TK2A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

Número de pieza：

TK2A65D(STA4,Q,M)

Modelo alternativo：

TK3R1E04PL , S1X

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK2A65D(STA4,Q,M)

TK2A65D(STA4,Q,M) Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

650 V

Paquete / Estuche：

TO-220-3 Full Pack

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

9 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

30W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220SIS

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

2A (Ta)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

380 pF @ 25 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4.4V @ 1mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

3.26Ohm @ 1A, 10V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1650

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

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1.53

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50

1.22

61

100

0.97

97

500

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415

1000

0.67

670

2000

0.63

1260

5000

0.61

3050

10000

0.57

5700

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