TK35S04K3L(T6L1,NQ

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TK35S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 35A DPAK

Número de pieza：

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 40V 35A DPAK

RoHS：

YES

：

TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

40 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

6V, 10V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

35A (Ta)

Vgs (máx.)：

±20V

Paquete / Estuche：

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Temperatura de funcionamiento：

175°C (TJ)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

28 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

58W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

DPAK+

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

3V @ 1mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

10.3mOhm @ 17.5A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1370 pF @ 10 V

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