TK4A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
Número de pieza：
TK4A65DA(STA4,Q,M)
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
RoHS：
YES
TK4A65DA(STA4,Q,M) Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Vgs (máx.)：
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
650 V
Paquete / Estuche：
TO-220-3 Full Pack
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
12 nC @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220SIS
Disipación de energía (máx.)：
35W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
3.5A (Ta)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
600 pF @ 25 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.4V @ 1mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.9Ohm @ 1.8A, 10V
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