TK5A53D(STA4,Q,M)

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TK5A53D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS

Número de pieza：

TK5A53D(STA4,Q,M)

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 525V 5A TO220SIS

RoHS：

YES

：

TK5A53D(STA4,Q,M)

TK5A53D(STA4,Q,M) Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

TO-220-3 Full Pack

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220SIS

Disipación de energía (máx.)：

35W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

5A (Ta)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

525 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

11 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4.4V @ 1mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

1.5Ohm @ 2.5A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

540 pF @ 25 V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1650

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

1.41

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50

1.13

56.5

100

0.9

90

500

0.76

380

1000

0.62

620

2000

0.58

1160

5000

0.55

2750

10000

0.55

5500

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