TPC6012(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
Número de pieza：
TPC6012(TE85L,F,M)
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
RoHS：
YES
TPC6012(TE85L,F,M) Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±12V
Disipación de energía (máx.)：
700mW (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.2V @ 200µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
VS-6 (2.9x2.8)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
9 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
630 pF @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 3A, 4.5V
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