TPC8129,LQ(S

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TPC8129,LQ(S

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

Número de pieza：

TPC8129,LQ(S

Modelo alternativo：

2SK3019-TP , HSME-C190 , SP202EEN-L/TR , IRFR9024NTRPBF , LM35DM/NOPB , PMPB11EN , 115

Fabricante：

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

RoHS：

YES

：

TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S

TPC8129,LQ(S Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Paquete / Estuche：

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor：

8-SOP

Temperatura de funcionamiento：

150°C (TJ)

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Tipo FET：

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

30 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

39 nC @ 10 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

9A (Ta)

Vgs (máx.)：

+20V, -25V

Disipación de energía (máx.)：

1W (Ta)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1650 pF @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

22mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

2V @ 200µA

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Número de envases estándar：6456

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