IXFT50N30Q3

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IXFT50N30Q3

MOSFET N-CH 300V 50A TO268

Número de pieza：

IXFT50N30Q3

Modelo alternativo：

AD5142ABRUZ10

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 300V 50A TO268

RoHS：

YES

：

IXFT50N30Q3 IXFT50N30Q3

IXFT50N30Q3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

65 nC @ 10 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

50A (Tc)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

300 V

Paquete / Estuche：

TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-268AA

Disipación de energía (máx.)：

690W (Tc)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

6.5V @ 4mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

80mOhm @ 25A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

3165 pF @ 25 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1630

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

16.21

16.21

30

13.12

393.6

120

12.35

1482

510

11.2

5712

1020

10.26

10465.2

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