IXFN100N50Q3

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IXFN100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

Número de pieza：

IXFN100N50Q3

Modelo alternativo：

EP2C5Q208C8 , AD5141BCPZ10-RL7

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B

RoHS：

YES

：

IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Chassis Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete / Estuche：

SOT-227-4, miniBLOC

Paquete de dispositivo del proveedor：

SOT-227B

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Disipación de energía (máx.)：

960W (Tc)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

6.5V @ 8mA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

82A (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

255 nC @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

49mOhm @ 50A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

13800 pF @ 25 V

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Número de envases estándar：1609

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