IXFR15N100Q3

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IXFR15N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

Número de pieza：

IXFR15N100Q3

Modelo alternativo：

AD5123BCPZ100-RL7 , FQA8N100C , STW11NK100Z

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

RoHS：

YES

：

IXFR15N100Q3

IXFR15N100Q3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1000 V

Paquete / Estuche：

TO-247-3

Disipación de energía (máx.)：

400W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

10A (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor：

ISOPLUS247™

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

3250 pF @ 25 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

64 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

6.5V @ 4mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

1.2Ohm @ 7.5A, 10V

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Número de envases estándar：1613

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