IXFH18N100Q3

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IXFH18N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD

Número de pieza：

IXFH18N100Q3

Modelo alternativo：

STW13NK100Z , APT8M100B , STW12N120K5 , AD5122ABCPZ10-RL7

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD

RoHS：

YES

：

IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1000 V

Paquete / Estuche：

TO-247-3

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-247AD (IXFH)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

18A (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

90 nC @ 10 V

Disipación de energía (máx.)：

830W (Tc)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

6.5V @ 4mA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

660mOhm @ 9A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

4890 pF @ 25 V

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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1699

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

22.51

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30

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