IXFT18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
Número de pieza：
IXFT18N100Q3
Modelo alternativo：
AD5122ABCPZ100-RL7
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1000V 18A TO268
RoHS：
YES
IXFT18N100Q3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1000 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
18A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
90 nC @ 10 V
Paquete / Estuche：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-268AA
Disipación de energía (máx.)：
830W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
6.5V @ 4mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
660mOhm @ 9A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4890 pF @ 25 V
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