IRF510
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Número de pieza：
IRF510
Modelo alternativo：
IRF510PBF , BS170 , PSMN013-100PS , 127 , 2N7000 , IRF710PBF , IRF510SPBF , IRF710 , STPS2L60 , 2N7000 , 2N3906-G , 1N4001 , 2N2222A , 1N4001 , CD4051BE , SN74LS08N
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
RoHS：
YES
IRF510 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220AB
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
540mOhm @ 3.4A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
8.3 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
180 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)：
43W (Tc)
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