2N7635-GA
TRANS SJT 650V 4A TO257
Número de pieza：
2N7635-GA
Fabricante：
GeneSiC Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
TRANS SJT 650V 4A TO257
RoHS：
NO
2N7635-GA Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
650 V
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-257
Paquete / Estuche：
TO-257-3
Disipación de energía (máx.)：
47W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4A (Tc) (165°C)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
415mOhm @ 4A
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
324 pF @ 35 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 225°C (TJ)
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1600
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