2N7637-GA
TRANS SJT 650V 7A TO257
Número de pieza:
2N7637-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Categoría:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Descripción:
TRANS SJT 650V 7A TO257
RoHS:
NO
2N7637-GA Especificaciones
Tipo de montaje:
Through Hole
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss):
650 V
Tecnología:
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Disipación de energía (máx.):
80W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor:
TO-257
Paquete / Estuche:
TO-257-3
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 225°C (TJ)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
720 pF @ 35 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
7A (Tc) (165°C)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs:
170mOhm @ 7A
Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante:Por determinar
Número de envases estándar:1600
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