2N7638-GA
TRANS SJT 650V 8A TO276
2N7638-GA Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
650 V
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Disipación de energía (máx.)：
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 225°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-276AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-276
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8A (Tc) (158°C)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
170mOhm @ 8A
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
720 pF @ 35 V
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