GA06JT12-247
TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Número de pieza：
GA06JT12-247
Modelo alternativo：
G3R350MT12J-TR
Fabricante：
GeneSiC Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
RoHS：
NO
GA06JT12-247 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247AB
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A (Tc) (90°C)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
220mOhm @ 6A
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