GA05JT12-263
TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Número de pieza：
GA05JT12-263
Modelo alternativo：
G3R160MT12J
Fabricante：
GeneSiC Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
RoHS：
YES
GA05JT12-263 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
15A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263-7
Paquete / Estuche：
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Disipación de energía (máx.)：
106W (Tc)
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Número de envases estándar：1600
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