GA10JT12-263
TRANS SJT 1200V 25A
Número de pieza：
GA10JT12-263
Modelo alternativo：
GA10SICP12-263 , ACS758LCB-050U-PFF-T
Fabricante：
GeneSiC Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
TRANS SJT 1200V 25A
RoHS：
YES
GA10JT12-263 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
25A (Tc)
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Disipación de energía (máx.)：
170W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1403 pF @ 800 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
120mOhm @ 10A
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Número de envases estándar：1600
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