GA50JT12-247
TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Número de pieza：
GA50JT12-247
Modelo alternativo：
G3R160MT12D , G3R75MT12D , G3R30MT12K , G3R40MT12D
Fabricante：
GeneSiC Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
RoHS：
YES
GA50JT12-247 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
100A (Tc)
Temperatura de funcionamiento：
175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Tecnología：
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-247AB
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
25mOhm @ 50A
Disipación de energía (máx.)：
583W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
7209 pF @ 800 V
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